IGBT的结构简介

IGBT的结构简介

其包括三端器件：栅极G、集电极C和发射极E（如附图所示）；

图中a—N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT。

IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流能力。

简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。

RN为晶体管基区内的调制电阻。

GTR的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大。电流控制元件。

MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，电压控制元件。

IGBT特点

栅极为电压驱动，驱动电路简单，所需驱动功率小。

工作频率高，开关损耗小，在电压1000V以上时， 开关损耗只有GTR的1/10。

承受电压较高，载流密度大，输入阻抗高，通态压降小，热稳定性好，没有“一次击穿”问题。

驱动电路简单，安全工作区大，电流处理能力强，不需要缓冲电路。

可以实现小电压控制大电流。